Explication technique
Dans une cellule TOPCon, une couche d'oxyde tunnel (environ 1-2 nm d'épaisseur) est déposée entre le substrat de silicium N-Type et une couche de silicium polycristallin dopé. Cette couche "passivise" les contacts arrière : les électrons peuvent traverser la couche d'oxyde par effet tunnel quantique, mais les pertes par recombinaison sont drastiquement réduites. Résultat : une cellule qui exploite mieux les photons absorbés. Le TOPCon est une évolution du PERC (Passivated Emitter Rear Cell) existant — compatible avec les mêmes lignes de production, ce qui maintient les coûts de fabrication bas malgré les performances supérieures.
